Les progrès actuels dans le domaine de la microélectronique (CMOS) sont liés à la miniaturisation des composants semiconducteurs. Ce processus de miniaturisation se heurtera, à termes, à des limites physiques rédhibitoires à l'échelle nanométrique. La spintronique dans les semiconducteurs serait une alternative à la microélectronique conventionnelle (A. Fert et P. Grünberg). Il s'agit d'utiliser le spin des électrons comme degré de liberté complémentaire à la charge électrique.

Cette thèse propose d'étudier les propriétés électroniques des interfaces Métal ferromagnétique/Semiconducteurs, en particulier les hétérostructures Métal Ferromagnétique/Monofeuillet de semi-conducteur bidimensionnel à base de dichalcogénure de métaux de transition (TMDC), MoS2 , WSe2 ...